أكدت شركة Samsung جهودها في تحقيق خططها للمستقبل القريب خلال السنوات التالية لما يتعلق بصناعة التصاميم المتطورة للشرائح 3 نانومتر.
حيث تعتزم الشركة على طرح هذه التقنيات والتصاميم في سنة 2022 وسنشهد معها تحسينات بارزة في تقنيات الترانزستور مثل تقنيات Gate-All-Around FET التي ستحسن من التحكم بقنوات الترانزستور.
ولكن كشفت الشركة أيضًا في تقارير جديدة عن تقنيات أخرى قادمة مع 3 نانومتر وهي MBCFET والتي تؤكد الشركة بأنها تستهلك الطاقة بمعدل 50% أقل رغم إنتاجها لأداء أفضل بنسبة 30%.
هذا وتتوقع الشركة زيادة الكثافة بشكل كبير بالإضافة إلى تقليل المساحة التي يشعرها الترانزستور الواحد بنسبة 45% على شريحة السيليكون، ونوّهت الشركة إلى أن المقارنة التي تستخدمها في هذه النسبة هي مع تصميم 7 نانومتر غير محدد.
من الجدير بالذكر أن التقنيات الجديدة ستكون جزء من مجموعة منتجات GAAFET وعلى الأغلب ستتمتع بمرونة في التصميم لتتناسب مع سيناريوهات الأداء المرتفع أو التركيز على استهلاك منخفض للطاقة.
The post Samsung تستعد لتقديم تصاميم 3 نانومتر في 2022 appeared first on التكنولوجيا الشاملة.
from التكنولوجيا الشاملة https://ift.tt/3enbwRv
ليست هناك تعليقات:
إرسال تعليق